SK하이닉스, HBM 생태계 확대 박차… 美법인서 심포지엄 개최

SK하이닉스는 이 자리에서 HBM 중장기 로드맵을 공개했으며, HBM 개발에 협력 중인 회사들도 직접 발표자로 참여해 생태계 확대를 위한 논의를 진행했다.

SK하이닉스는 지난해 말 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용한 HBM을 업계 최초로 개발했고, 올해 상반기 고객들에게 샘플을 전달했다. 이 HBM은 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층한 형태다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 네트워크, 슈퍼컴퓨터, 서버 등으로 응용 범위가 확장될 전망이다.

미국 법인 기술마케팅 담당 강선국 수석은 “다양한 응용 분야의 고객 및 파트너들과 HBM에 대한 협력 관계를 더 강화해 차세대 고성능, 저전력, 고용량 제품인 HBM 시장을 선도해나가겠다”고 밝혔다.

한편 HBM은 기능성 패키지 기판인 인터포저 위에, SoC(System on Chip)와 함께 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 공급된다. 이 때문에 칩셋, 파운드리, 패키징 및 완제품 업체 등 고객 및 파트너와의 협업이 중요하다.