삼성전자, 美실리콘밸리서 초고성능 D램 HBM3E ‘샤인볼트’ 공개

[천지일보=김정필 기자] 삼성전자가 초고성능 HBM3E D램인 ‘샤인볼트(Shinebolt)’를 처음 선보였다.

삼성전자는 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리 맥에너리 컨벤션센터에서 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’을 개최하고, AI(인공지능) 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 공개했다.

‘메모리 역할의 재정의(Memory Reimagined)’라는 주제로 열린 이번 행사는 글로벌 IT(정보기술) 고객과 파트너, 애널리스트 등 600여명이 참석한 가운데 삼성전자 메모리사업부 이정배 사장, 미주총괄 짐 엘리엇 부사장, 업계 주요 인사 등이 반도체 시장의 트렌드와 주요 제품을 소개했다.

이날 선보인 제품은 HBM3E D램 샤인볼트를 비롯해 엣지 AI용 D램 ‘LPDDR5X CAMM2’, 스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 차량용 SSD 등이다.

고대역폭 메모리를 뜻하는 HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품이다.

HBM은 챗GPT-4와 같은 대형언어모델(LLM)의 급속한 발전으로 최근 수요가 폭발적으로 늘어나는 AI용 핵심 메모리다. HBM 5세대인 HBM3E는 아직 양산되지는 않은 제품이다.

삼성전자는 샤인볼트가 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps(초당 기가비트)의 고성능을 제공하며, 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있다고 설명했다. 이는 1초에 30기가바이트(㎇) 용량의 UHD 영화 40편을 처리할 수 있는 속도다.

삼성전자는 NCF(비전도성 접착 필름) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했으며, 열전도를 극대화해 열 특성을 개선했다고 설명했다. 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다고 밝혔다.

삼성전자는 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다.

이외에도 ▲현존 최대 용량 ‘32Gb DDR5 D램’ ▲업계 최초 ‘32Gbps GDDR7 D램’ ▲저장 용량을 획기적으로 향상시켜 최소한의 서버로 방대한 데이터를 처리할 수 있는 ‘PBSSD(Petabyte Storage)’ 등을 소개했다.

삼성전자는 사용자 기기단에서 고성능·저전력 및 다양한 폼팩터 등을 지원한 솔루션도 공개했다. 특히 업계 최초로 개발한 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2는 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 제품으로 참석자들의 이목을 집중시켰다고 전했다.

아울러 ▲9.6Gbps LPDDR5X D램 ▲온디바이스 AI에 특화된 LLW D램 ▲차세대 UFS 제품 ▲PC용 고용량 QLC SSD BM9C1 등을 공개했다.

삼성전자는 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 시스테온칩(SoC)이 사용할 수 있는 ‘탈부착 가능한 차량용 SSD’ 등 자율 주행 시스템의 고도화에 따른 차량용 핵심 솔루션도 선보였다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 “초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로, 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것”이라며 “무한한 상상력과 담대한 도전을 통해 혁신을 이끌고, 고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도해 나갈 것”이라고 밝혔다.