네이처 사이언틱 리포트 게재… 차세대 디스플레이·집적회로 분야 적용 기대
[천지일보 청주=박주환 기자] 청주대학교(총장 정성봉) 융합전자공학부 반도체공학전공 이상렬 교수 연구팀이 최근 금속 캐핑층 구조를 이용한 고이동도의 비정질 산화물 박막 트랜지스터의 매커니즘을 규명해 세계저명 학술지에 게재해 주목을 받고 있다.
31일 청주대에 따르면 이 교수 연구팀은 고 이동도를 요구하는 차세대 디스플레이 및 차세대 집적회로에 적용할 수 있는 고이동도를 갖는 비정질 산화물 박막트랜지스터를 개발 및 매커니즘에 대해 분석한 논문을 최근 세계 저명 학술지인 네이처(Nature) 자매지 ‘사이언티픽 리포트’ 온라인판에 게재했다.
차세대 디스플레이 및 차세대 집적회로 분야는 필수 요구조건인 고 이동도와 낮은 오프-전류를 필수적으로 이뤄져야 하는데 이 교수 연구팀은 금속 캐핑층 구조를 이용해 제작한 박막 트랜지스터를 이용해 고특성의 박막트랜지스터를 개발했다.
또한 다양한 금속 물질을 캐핑층으로 사용해 그에 따른 다양한 현상들을 에너지 밴드갭 분석을 통해 직접적으로 분석했으며 효과적으로 전기적 특성 및 안정성을 조절할 수 있기 때문에 이동도의 한계와 신뢰성 문제를 해결이 가능할 것으로 기대된다.
이 논문은 청주대 융합전자공학부 반도체공학전공 소속 이상렬 교수(책임저자)와 제1저자인 이병현 박사과정(청주대 석사 졸업생, 현재 고려대 미세소자공학협동 박사과정) 등이 공동 연구를 통해 개발했다.
이 연구는 과학기술정보통신부 지역대학우수과학자지원사업과 한국에너지기술평가원 에너지기술개발사업으로 수행됐다.