[뉴스천지=김지윤 기자] 삼성전자가 세계 최초로 4기가비트(Gb) DDR3(Double Date Rate 3) D램 양산으로 대용량 D램 시장 선점에 나설 것으로 보인다.
삼성전자는 24일 지난해 1월 50나노급 공정을 이용해 세계 최초로 개발한 4Gb DDR3 D램을 이 달부터 40나노급 최신 공정을 이용해 양산한다고 밝혔다.
지난 2005년 6월 세계 최초로 1Gb DDR2 D램 양산을 시작한 삼성전자는 2007년 9월 2Gb DDR2 D램에 이어 이번에 4Gb DDR3 D램을 생산해 대용량 D램의 세계 최초 양산 기록을 세웠다.
이번 DDR3 D램은 2Gb DDR3 D램보다 성능을 강화해 1.35V와 1.5V의 동작전압을 지원하고 데이터 처리 속도는 최대 1.6Gbps(초당 기가비트)로 높였다.
또한 이 D램을 탑재한 모듈은 기존 동일 용량 모듈 제품보다 소비 전력이 35%가량 절감돼 삼성전자의 ‘그린 메모리’ 전략을 이어나가게 됐다.
삼성전자에 따르면 서버에서 총 96㎇ 용량의 D램 메모리를 사용할 경우, 60나노급 1Gb DDR2 D램을 사용한 모듈은 210와트(W) 전력을 소비하는 데 비해 40나노급 2Gb DDR3 D램은 55W로 약 75%를 절감할 수 있다. 더 나아가 40나노급 4Gb DDR3 D램은 36W에 불과해 60나노급 제품 대비 약 83%, 40나노급 2Gb DDR3 D램 대비 추가로 35%나 절감할 수 있다.
대규모로 전력을 소비하는 데이터 센터에서 공조시스템을 포함한 전체 소비전력을 추가로 10% 정도 더 절감할 수 있다.
4Gb DDR3 D램은 ▲서버용 32GB(기가바이트), 16GB 모듈 ▲워크스테이션, 데스크 탑 PC용 8GB 모듈 ▲노트북 PC용 8GB 모듈 등 기존 대비 용량이 두 배인 대용량 메모리 모듈 제품에 사용된다.
삼성전자는 지난해 7월 40나노급 2Gb DDR3 D램을 양산하면서 최대 16GB 용량까지 모듈 제품을 공급했으며, 이번 4Gb DDR3 D램 양산으로 업계 최초로 최대 32GB 용량의 모듈을 공급할 수 있게 됐다.
이에 따라 40나노급 2Gb와 4Gb DDR3 D램을 동시에 양산해 4GB에서 32GB까지 업계 최대의 DDR3 D램 제품군을 확보한 셈이다.
삼서언자 반도체사업부 메모리전략마케팅팀장 전동수 부사장은 “4Gb DDR3 D램은 대용량이면서 최저 소비전력을 구현한다”며 “많은 양의 메모리를 탑재하는 서버 업체 뿐 아니라, PC에서도 고성능·저전력 메모리 솔루션을 제공하게 돼 의의가 매우 크다”고 밝혔다.