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SK하이닉스, 전력 25%↓·속도 33%↑ 모바일 D램 개발
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SK하이닉스, 전력 25%↓·속도 33%↑ 모바일 D램 개발

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최근 판매를 시작한 SK하이닉스의 초저전력 LPDDR5X . (제공: SK하이닉스) ⓒ천지일보 2022.11.09

[천지일보=정다준 기자] SK하이닉스가 세계 최초로 모바일용 D램에 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 도입한 LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X) 개발을 완료했다고 9일 밝혔다.

HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정으로 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다.

이 제품은 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12볼트(V)에서 작동하면서 이전 세대 대비 소비전력을 25% 줄이는 데도 성공해 업계 최고의 전력사용 효율성을 확보했다. 또한 이전 세대 대비 33% 빠른 8.5Gbps의 동작 속도를 자랑한다.

모바일용 D램으로 불리는 LPDDR의 경우 규격명에 LP(Low Power)라는 표현이 사용된 만큼 낮은 전력 소비가 최대 관건이다. 모바일의 경우 전력이 한정돼 있기 때문에 제품의 사용 시간을 늘리기 위해선 전력소비를 최대한 줄여야 한다. 빨라진 동작 속도만큼 낮아진 소비전력이 중요한 이유다. 

LPDDR5X를 통해 D램의 소비전력이 더욱 낮아지면서 해당 제품이 적용된 모바일 디바이스는 한번 충전으로 더욱 오랜 시간 사용할 수 있을 것으로 보인다. 

업계에서는 세계 최초로 LPDDR에 HKMG 공정을 도입했다는 점에서 크게 주목하고 있다. 과감하고 도전적인 시도로 또다시 놀라운 개발에 성공했다는 평가도 나온다.

SK하이닉스는 LPDDR5X에 대해 “모바일용 D램 중에서는 최초로 HKMG 공정을 도입해 속도 향상은 물론 소비전력 감소라는 두 마리 토끼를 모두 잡았다”고 설명했다.

#SK하이닉스 #D램 #HKMG

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