이건희 회장 “더욱 거세질 반도체 업계發 태풍에도 대비해야”

삼성전자는 22일 나노시티 화성캠퍼스에서 ‘메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램ㆍ플래시 양산’ 행사를 열었다.

이날 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여 명이 참석했다.

행사에서 최초로 생산된 반도체 웨이퍼를 전달받은 이건희 회장은 “반도체 업계에 몰아치는 거센 파도 속에서도 메모리 16라인의 성공적 가동과 세계 최초의 20나노급 D램 양산 성공을 위해 혼신의 힘을 기울인 임직원들에게 감사의 뜻을 표한다”고 치하했다.

이 회장은 또 “많은 직원의 노력으로 기술 리더십을 지킬 수 있었지만, 앞으로 더욱 거세질 반도체 업계發 태풍에도 대비해야 한다”고 주문했다.

16라인은 라인면적(FAB: 반도체 제조공장) 약 6만 평 규모의 12층 건물로 축구장 28개 정도 크기에 해당하는 세계 최대 생산라인이다.

삼성전자는 이달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만 매 이상 생산하며 본격 양산에 들어갔고 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다.

삼성전자는 또 세계 최초로 20나노급 2Gb D램 양산도 시작했으며 올해 말 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GBㆍ8GBㆍ16GBㆍ32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 예정이다.

삼성전자 이건희 회장은 지난해 5월 경영 복귀 후 반도체 16라인 기공식 현장을 첫 방문지로 삼은 데 이어 가동식까지 참석하며 반도체 사업에 대한 각별한 애정을 드러냈다.

이 회장은 기공식 참석 당시 “지금 세계 경제가 불확실하고 경영 여건의 변화도 심할 것으로 예상하지만 이러한 시기에 투자를 더 늘리고 인력도 더 많이 뽑아서 글로벌 사업기회를 선점해야 삼성에도 기회가 오고 우리나라 경제가 성장하는 데 도움이 될 것”이라고 말했다.

지난 8월 11일 반도체 사장단과의 오찬에서 이 회장은 “D램의 뒤를 이을 차세대 메모리 개발 속도를 높여 메모리 분야에서도 차별화된 경쟁력으로 시장 리더십을 지켜야 한다”고 강조한 바 있다.