삼성전자 화성캠퍼스 극자외선(EUV) 라인 전경. (제공: 삼성전자) ⓒ천지일보 2019.4.25
삼성전자 화성캠퍼스 극자외선(EUV) 라인 전경. (제공: 삼성전자) ⓒ천지일보 2019.4.24

2030년까지 비메모리 강화

전문인력 1만 5000명 채용

5G·AI·전장 등에 수요 증가

[천지일보=정다준 기자] 글로벌 반도체 1위 기업인 삼성전자가 메모리 분야에 이어 비메모리 분야에서도 글로벌 1등을 노린다.

삼성전자는 2030년까지 시스템 반도체 분야 연구·개발(R&D) 및 생산시설 확충에 133조원을 투자하고 1만 5000명의 전문인력을 채용해 ‘반도체 비전 2030’ 달성에 나선다. 메모리 반도체 호황기가 끝남에 따라 삼성전자는 발전 가능성이 높은 시스템 반도체를 새로운 미래먹거리로 여기고 경쟁력 강화에 나선 것으로 풀이된다.

시스템 반도체 강화를 위해 삼성전자는 ▲R&D ▲생산시설 확충 ▲전문인력 증가 등 3가지 전략을 취한다. 또한 시스템 반도체 인프라와 기술력을 공유해 반도체 설계 전문업체 팹리스(Fabless)와 설계 서비스 기업 디자인하우스(Design House) 등 국내 시스템 반도체 생태계의 경쟁력을 강화할 방침이다.

삼성전자 관계자는 “과감하고 선제적인 투자와 국내 중소업체와의 상생협력을 통해 한국 시스템 반도체산업 발전에 앞장설 계획”이라고 말했다.

세계반도체시장통계기구(WSTS)에 따르면 올해 비메모리 시장 규모는 3212억 달러(약 370조원)다. 이는 전체 반도체 시장(약 557조원)의 66%이며 메모리 시장 규모의 2배다. 비메모리 시장은 5세대(5G) 이동통신, 인공지능(AI)·전장 등 4차 산업혁명의 발달로 칩 설계 및 반도체 제작 수요가 대폭 늘고 있다.

이에 삼성전자는 시스템 반도체 사업경쟁력 강화를 위해 2030년까지 국내 R&D 분야에 73조원, 최첨단 생산 인프라에 60조원을 투자한다. R&D 투자금액이 73조원 규모에 달해 국내 시스템 반도체 연구개발 인력 양성에 기여할 것으로 기대되며 또한 생산시설 확충에도 60조원이 투자돼 국내 설비·소재 업체를 포함한 시스템 반도체 생태계 발전에도 긍정적인 영향이 예상된다는 게 삼성전자의 설명이다.

삼성전자는 향후 화성캠퍼스 신규 극자외선(EUV)라인을 활용해 생산량을 증대하고 국내 신규 라인 투자도 지속 추진할 계획이다. 또 기술경쟁력 강화를 위해서 시스템 반도체 R&D 및 제조 전문인력 1만 5000명을 채용할 계획이다.

삼성전자의 이 같은 계획이 실행되면 2030년까지 연평균 11조원의 R&D 및 시설투자가 집행되고 생산량이 증가함에 따라 42만명의 간접 고용유발 효과가 발생할 것이라는 전망이다.

삼성전자는 국내 팹리스 업체를 지원하는 등 상생협력을 통해 한국 시스템 반도체 산업생태계를 강화한다. 국내 중소 팹리스 고객들이 제품 경쟁력을 강화하고 개발기간도 단축할 수 있도록 인터페이스 설계자산(IP), 아날로그 IP, 시큐리티(Security) IP 등을 지원한다. 쉽게 말하자면 삼성이 개발 방향을 알려주고 기업은 이를 수용해 제품 경쟁력을 높인다는 것이다.

설계·불량 분석 툴(Tool) 및 소프트웨어 등도 지원할 계획이다. 소품종 대량생산 체제인 메모리 반도체와 달리 다품종 소량생산이 특징인 시스템 반도체 분야의 국내 중소 팹리스업체는 지금까지 수준 높은 파운드리 서비스를 활용하는 데 어려움이 있었다.

삼성전자는 이러한 어려움을 해소하기 위해 반도체 위탁생산 물량 기준도 완화해 국내 중소 팹리스업체의 소량제품 생산을 적극적으로 지원할 계획이다. 또한 국내 중소 팹리스 업체의 개발활동에 필수적인 MPW(Multi-Project Wafer)프로그램을 공정당 년 2~3회로 확대 운영한다.

MPW는 웨이퍼 하나에 여러 종류의 칩을 생산해 테스트하는 것으로 반도체 설계업체나 연구소 입장에서는 연구개발 과정에서 MPW 프로그램을 통해 비용을 절감할 수 있다.

한편 삼성전자는 1988년 반도체 사업을 시작했으며 33년 만인 2017년 당시 반도체 분야 1위였던 인텔을 제치고 삼성전자가 글로벌 1위를 차지했다.

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