2020년부터 본격 가동 예정
[천지일보=정다준 기자] 삼성전자가 대규모 투자로 극자외선(EUV) 노광장비 생산라인을 짓는다.
삼성전자는 경기도 화성시에 초기 투자규모는 건설비용 포함해 2020년까지 60억달러(약 6조 4740억원) 규모의 투자를 추진할 계획이라고 23일 밝혔다.
이날 ‘삼성전자 화성 EUV 라인 기공식’을 통해 본격적인 라인 건설에 착수했다. 이번에 착공하는 화성 EUV라인은 2019년 하반기에 완공하고 시험생산을 거쳐 2020년부터 본격 가동을 시작할 예정이다.
이번 신규라인에는 미세공정 한계 극복에 필수적인 EUV장비가 본격 도입될 예정으로 삼성전자가 향후 반도체 미세공정 기술 리더십을 유지하는 데 핵심 역할을 할 것으로 예상 된다.
반도체 산업은 공정 미세화를 통해 집적도를 높이고 세밀한 회로를 구현하며 반도체의 성능과 전력효율을 향상시켜왔다. 그러나 최근 한 자리 수 나노 단위까지 미세화가 진행됨에 따라 보다 세밀한 회로를 구현하기 위해서는 기존 ArF(불화아르곤) 광원보다 파장이 짧은 EUV 장비의 도입이 불가피하게 됐다는 게 관계자의 설명이다.
EUV 기술이 본격 상용화되면 반도체의 성능과 전력효율을 향상시킬 수 있음은 물론 회로 형성을 위한 공정수가 줄어들어 생산성도 획기적으로 높일 수 있다.
삼성전자는 화성 EUV라인을 통해 향후 모바일·서버·네트워크·HPC 등 고성능과 저전력이 요구되는 첨단 반도체 시장 수요에 적기 대응하고 7나노 이하 파운드리 미세공정 시장을 주도해 나갈 계획이다.
지난 2000년도 삼성전자 화성캠퍼스 개발로 시작된 삼성전자와 화성시의 동반성장은 이번 EUV 신규라인 건설로 더욱 확대될 전망이다. 화성시는 첨단 반도체 산업의 메카로서의 입지를 확고히 하게 됐다.
삼성전자 김기남 DS부문장 사장은 “이번 화성 EUV 신규라인 구축을 통해 화성캠퍼스는 기흥·화성·평택으로 이어지는 반도체 클러스터의 중심이 될 것”이라며 “삼성전자는 산학연 및 관련 업계와의 다양한 상생협력을 통해 국가경제에 기여한다”고 말했다.
한편 삼성전자는 파운드리 7나노 공정부터 EUV 기술을 적용하기 위한 연구개발을 지속적으로 수행해 왔다. 글로벌 고객과도 7나노 EUV 공정을 활용한 차세대 반도체 칩 개발에 협력하고 있다.