삼성전자, 세계 최초 30나노 D램 개발

이번에 개발된 30나노급 D램은 삼성전자가 지난해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년 만에 차세대 공정을 적용해 개발한 것으로, 올해 하반기부터 본격적으로 양산에 들어갈 예정이다.

그동안 업계에서는 D램 셀 구조상 40나노급 D램이 한계로 여겨진 것으로 알려졌다. 삼성전자는 50나노급 공정을 개발한 뒤 40나노급 공정을 개발하기까지 2년 이상 시간이 걸렸으나, 40나노급 D램을 개발한지 1년 만에 30나노급 공정을 개발해 한계를 1년 만에 극복한 셈이다.

삼성전자에 따르면, 30나노급 D램은 40나노급 D램보다 약 60% 생산성을 증가시킬 수 있으며, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다. 아울러 30나노급 D램은 50나노급 D랩과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있으며, 40나노급 D램에 보다 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.

삼성전자 측은 “30나노급 공정을 1년 만에 개발한 것은 DDR3 시장 확대에 맞춰 친환경 제품으로 서버에서부터 노트북까지 ‘그린 메모리’ 전략을 펼칠 것”이라고 전했다.

지난해 12월 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB(기가바이트) 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난 1월 중순에 평가를 완료했다.