삼성전자는 0.6mm 두께의 8단 적층칩 기술을 개발해 32기가바이트(Gb) 낸드플래시 적층칩에 적용했다.
이 적층칩은 750㎛(마이크로미터) 두께인 12인치 웨이퍼 뒷면을 15㎛ 두께로 갈아 내고, 위로 쌓아 올려 고용량의 패키지로 구현한 것이다. 기존 낸드플래시 적층 패키지는 칩의 웨이퍼를 60㎛ 두께로 가공해 쌓아 올려 1mm를 구현한 것이다.
이는 지금까지 칩의 웨이퍼 두께를 30㎛ 이하로 가공하면 칩의 강도를 유지하기 어렵고, 칩의 적층 간격이 너무 좁아 안정적인 수율을 확보하기 어려운 한계를 극복한 것이다.
이로써 이번 기술로 1mm 두께의 낸드플래시 적층칩을 구현하면 두 배 이상의 대용량 제품을 제조할 수 있게 된다.
삼성전자는 이번 기술 개발로 현재 50% 이상의 세계점유율을 확보하고 있는 모바일 메모리 복합칩 제품 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 수 있다는 설명이다.
삼성전자 Test&Package 센터 정태경 상무는 0.6mm 8단 적층칩은 현재 대용량 적층칩 시장의 주력 제품 대비 두께는 물론 무게까지 절반 정도로 줄여 대용량 메모리 탑재가 필수적인 모바일 기기 시장에 가장 적합한 솔루션이라며 삼성전자가 업계의 한계로 여겨진 1mm 이하의 적층칩 솔루션을 제공하게 돼 모바일 기기 제조 업체들은 소비자를 만족시킬 수 있는 다양한 제품 디자인을 할 수 있게 될 것 이라고 밝혔다.
반도체 시장 조사기관 아이서플라이에 의하면 세계 메모리 카드 시장은 2기가바이트(Gb) 용량 이상의 제품 수량이 2009년 3.1억 개에서 2012년 7.7억 개 규모로 크게 성장할 것으로 예상되며, 그 중 16Gb 이상 용량 제품은 2009년 1900만 개에서 2012년 2.1억 개로 확대될 것으로 전망된다.
